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新聞動態(tài)

新的計算機內(nèi)存技術(shù)可以為未來的人工智能提供動力

發(fā)布時間:2023/6/27
  由劍橋大學領(lǐng)導的一個研究小組開發(fā)了一種新穎的計算機內(nèi)存設(shè)計,該設(shè)計有望顯著提高性能,同時減少互聯(lián)網(wǎng)和通信技術(shù)的能源需求。
  據(jù)該大學稱,未來十年內(nèi),人工智能、算法、互聯(lián)網(wǎng)使用和其他數(shù)據(jù)驅(qū)動技術(shù)預(yù)計將占全球電力消耗的30% 以上。
   
  “在很大程度上,能源需求的爆炸式增長是由于當前計算機存儲技術(shù)的缺陷造成的,”劍橋大學材料科學與冶金系的第一作者馬庫斯·海倫布蘭德博士說?!霸趥鹘y(tǒng)計算中,一側(cè)有內(nèi)存,另一側(cè)有處理,數(shù)據(jù)在兩者之間重新洗牌,這既需要能量又需要時間?!?br />   研究人員試驗了一種稱為電阻開關(guān)存儲器的新型技術(shù)。與可以以兩種狀態(tài)(一或零)編碼數(shù)據(jù)的傳統(tǒng)存儲設(shè)備不同,這種新型存儲器可以實現(xiàn)連續(xù)的狀態(tài)范圍。
  這是通過在防爆正壓柜特定材料上施加電流,導致電阻增加或減少來完成的。電阻的各種變化會產(chǎn)生不同的可能狀態(tài)來存儲數(shù)據(jù)。
  “例如,基于連續(xù)范圍的典型USB記憶棒能夠容納十到100倍的信息,”Hellenbrand解釋道。
  該團隊開發(fā)了一種基于氧化鉿的原型器件,迄今為止,該器件已被證明對于電阻開關(guān)存儲器應(yīng)用具有挑戰(zhàn)性。這是因為該材料在原子水平上沒有結(jié)構(gòu)。然而,海倫布蘭德和他的同事找到了解決方案:將鋇添加到混合物中。
  “這些材料可以像大腦中的突觸一樣工作。
  添加鋇后,會在氧化鉿厚膜之間形成高度結(jié)構(gòu)化的鋇“橋”。在這些橋與器件觸點相交的地方,產(chǎn)生了能量勢壘,允許電子穿過。能壘可以升高或降低,從而改變氧化鉿復合材料的電阻,從而允許材料中存在多種狀態(tài)。
  “這些材料真正令人興奮的是它們可以像大腦中的突觸一樣工作:它們可以在同一個地方存儲和處理信息,就像我們的大腦一樣,”海勒布蘭德說。
  研究人員認為,這可能會導致密度和性能更高、能耗更低的計算機存儲設(shè)備的開發(fā),使該技術(shù)在人工智能和機器學習領(lǐng)域特別有前景。
  該大學的商業(yè)化部門劍橋防爆電器公司已申請了該技術(shù)的專利,科學家們目前正在與業(yè)界合作開展更大規(guī)模的可行性研究。他們聲稱,將氧化鉿集成到現(xiàn)有的制造工藝中并不具有挑戰(zhàn)性,因為該材料已經(jīng)用于半導體生產(chǎn)。